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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0604943 (2000-06-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 130 인용 특허 : 155 |
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1. A method of forming a barrier layer structure for use in integrated circuit fabrication, comprising: positioning a substrate having an oxide layer thereon, wherein the oxide layer has apertures formed therein to a top surface of the substrate; forming a first boride layer comprising two or mo
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