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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0135773 (2002-05-01) |
우선권정보 | JP-0346710 (1993-12-22); JP-0346712 (1993-12-22); JP-0346714 (1993-12-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 69 |
A semiconductor device using a crystalline semiconductor film is manufactured. The crystalline semiconductor film is formed by providing an amorphous silicon film with a catalyst metal for promoting a crystallization thereof and then heated for performing a thermal crystallization, following which t
19971121, 1997-975918; 19941205, 1994-356587
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