최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0818455 (2001-03-27) |
우선권정보 | TW-88104304 A (1999-03-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 7 |
A low-capacitance bonding pad for a semiconductor device. A diffusion region is formed in a substrate, and a bonding pad is formed on the substrate and aligned with the diffusion region. The bonding pad is made from a stacked metal layer and a metal layer. The stacked metal layer is made from a plur
1. A low capacitance bonding pad structure for a semiconductor device, comprising: a substrate having a well; a doped region formed in the well as a diffusion region; a stack of metal layers alternating with dielectric layers on the doped diffusion region, wherein the metal layers are coupled w
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.