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DRAM cell constructions

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/108
  • H01L-029/04
  • H01L-029/76
  • H01L-031/036
  • H01L-031/112
출원번호 US-0012233 (2001-12-05)
발명자 / 주소
  • Gonzalez, Fernando
  • Beaman, Kevin L.
  • Moore, John T.
  • Weimer, Ron
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Wells St. John P.S.
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 19

초록

The invention includes a method of forming a DRAM cell. A first substrate is formed to include first DRAM sub-structures separated from one another by an insulative material. A second semiconductor substrate having a monocrystalline material is bonded to the first substrate. After the bonding, secon

대표청구항

The invention includes a method of forming a DRAM cell. A first substrate is formed to include first DRAM sub-structures separated from one another by an insulative material. A second semiconductor substrate having a monocrystalline material is bonded to the first substrate. After the bonding, secon

이 특허에 인용된 특허 (19)

  1. Fernando Gonzalez ; Kevin L. Beaman ; John T. Moore ; Ron Weimer, DRAM cell constructions, and methods of forming DRAM cells.
  2. Darryl Walker, DRAM memory cell and array having pass transistors with recessed channels.
  3. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly.
  4. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Gettering technique for silicon-on-insulator wafers.
  5. Assaderaghi Fariborz ; Bertin Claude L. ; Gambino Jeffrey P. ; Hsu Louis Lu-Chen ; Mandelman Jack Allan, Low voltage active body semiconductor device.
  6. Lee Sahng Kyoo,KRX ; Park Sang Kyun,KRX, Method for fabricating semiconductor wafers.
  7. Ichikawa Takeshi (Zama JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX) Sakaguchi Kiyofumi (Atsugi JPX), Method for preparing semiconductor member.
  8. Goesele Ulrich M. ; Tong Q.-Y., Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate.
  9. Reisman Arnold (Raleigh NC) Chu Wei-Kan (Chapel Hill NC), Method of forming a nonsilicon semiconductor on insulator structure.
  10. Sato Nobuhiko,JPX ; Yonehara Takao,JPX, Process for producing semiconductor substrate of SOI structure.
  11. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
  12. Jaso Mark A. ; Mandelman Jack A. ; Tonti William R. ; Wordeman Matthew R., SOI/bulk hybrid substrate and method of forming the same.
  13. Takuya Fukuda JP; Yuzuru Ohji JP; Nobuyoshi Kobayashi JP, Semiconductor integrated circuit device.
  14. Yonehara Takao,JPX, Semiconductor member and process for preparing semiconductor member.
  15. Kikuchi Hiroaki (Tokyo JPX), Semiconductor substrate having a silicon-on-insulator structure and method of fabricating the same.
  16. Ohshima Hisayoshi,JPX ; Matsui Masaki,JPX ; Onoda Kunihiro,JPX ; Yamauchi Shoichi,JPX, Semiconductor substrate manufacturing method.
  17. Kobayashi Kenya,JPX ; Hamajima Tomohiro,JPX ; Okonogi Kensuke,JPX, Silicon on insulating substrate.
  18. Srikrishnan Kris V., Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films.
  19. Murari Bruno,ITX ; Villa Flavio,ITX ; Mastromatteo Ubaldo,ITX, Wafer of semiconductor material for fabricating integrated devices, and process for its fabrication.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Gonzalez, Fernando; Beaman, Kevin L.; Moore, John T.; Weimer, Ron, DRAM cell constructions.
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