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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0175940 (2002-06-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 7 |
A high temperature hybrid-circuit structure includes a temperature sensitive device which comprises SiC, AlN and/or AlxGa1-xN(x>0.69) connected by electrodes to an electrically conductive mounting layer that is physically bonded to an AlN die. The die, temperature sensitive device and mounting layer
A high temperature hybrid-circuit structure includes a temperature sensitive device which comprises SiC, AlN and/or AlxGa1-xN(x>0.69) connected by electrodes to an electrically conductive mounting layer that is physically bonded to an AlN die. The die, temperature sensitive device and mounting layer
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