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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0671857 (2000-09-28) |
우선권정보 | JP-0278937 (1999-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 183 인용 특허 : 17 |
To decrease the thickness of a silicon thin film to a desired value without deterioration of the quality thereof while avoiding the surface roughness due to speed increasing oxidation of crystal defect portions occurring when conducting the conventional sacrificial oxidation, effect of dust particle
1. A method for producing a silicon thin film provided on an insulating surface, which comprises the steps of: preparing the silicon thin film at a thickness larger than 100 nm on the insulating surface; heat-treating the silicon thin film in a reducing atmosphere containing hydrogen; and wet-c
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