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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0013506 (2001-12-13) |
우선권정보 | JP-0361275 (1999-12-20); JP-0245929 (2000-08-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 24 |
There is provided a semiconductor device manufacturing method which comprising the steps of forming solder bumps on an underlying metal film of a semiconductor device, and placing the semiconductor device and the solder layer in a reduced pressure atmosphere containing a formic acid to heat the sold
1. A heating/melting process equipment comprising: a chamber for loading a heating object device on which a solder is exposed; a heater provided into the chamber, for heating the solder; an exhausting means for reducing a pressure in the chamber; and a formic acid supplying device for supplyin
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