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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0117120 (2002-04-08) |
우선권정보 | JP-0207794 (1999-07-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 7 |
A multi-level non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell, a reference voltage generator and a level shifter. The reference voltage generator includes a band gap reference circuit and MOS transistors to switch both of a potential level and temperature coefficient of an output vol
1. A multi-level non-volatile semiconductor memory device comprising: a memory cell having a gate, drain and source electrodes and being capable of having one of first, second and third threshold voltages; a reference voltage generator including a band gap reference circuit and MOS transistors t
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