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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0178542 (2002-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 109 인용 특허 : 12 |
A silicon-on-insulator (SOI) device with a strained silicon film has a substrate, and a buried oxide layer on the substrate. Silicon islands are formed on the buried oxide layer, the silicon islands being separated from each other by gaps. The buried oxide layers has recesses directly under the gaps
1. A method of forming strained device film, comprising the steps of: etching recesses in a buried oxide layer of a silicon-on-insulator (SOI) structure having a substrate, a buried oxide layer on the substrate, and a silicon layer on the buried oxide layer, the silicon layer having trenches, and
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