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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0791908 (2001-02-22) |
우선권정보 | KR-0059459 (2000-10-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 8 |
A semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device are provided in which a lower plug electrically connected with an active region of a wafer has a recession, and a conductive layer has a projection fitted into the recession of the lower plug, so that a contact area betwe
1. A semiconductor device comprising: a first interlevel dielectric (ILD) film having a substantially cylindrical opening having a first single diameter C; a diffusion barrier layer formed along the opening of the first ILD film; a substantially cylindrical lower plug having a second single dia
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