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Metal-semiconductor diode clamped complementary field effect transistor integrated circuits

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/76
  • H01L-027/095
출원번호 US-0645366 (2000-08-24)
발명자 / 주소
  • O, Kenneth K.
  • Huang, Feng-Jung
대리인 / 주소
    Saliwanchik, Lloyd & Saliwanchik
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 10

초록

The subject invention relates to a metal-semiconductor diode clamped semiconductor device and method for producing such device. A specific embodiment of the subject invention utilizes one or more Schottky barriers at, for example, the drain and/or source of at least one transistor of a field effect

대표청구항

The subject invention relates to a metal-semiconductor diode clamped semiconductor device and method for producing such device. A specific embodiment of the subject invention utilizes one or more Schottky barriers at, for example, the drain and/or source of at least one transistor of a field effect

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Koeneke Conrad J. (Fanwood NJ) Lepselter Martin P. (Summit NJ) Lynch William T. (Summit NJ), Fabrication of schottky-barrier MOS FETs.
  2. Mistry Kaizad R. (Brighton MA), Field effect transistor with integrated schottky diode clamp.
  3. Smayling Michael C. (Missouri City TX) Soobik Lembit (Houston TX), Gated thyristor and process for its simultaneous fabrication with high- and low-voltage semiconductor devices, integrate.
  4. Iranmanesh Ali A. (Federal Way WA) Ganschow George E. (Trabuco Canyon CA), Method of making polysilicon Schottky clamped transistor and vertical fuse devices.
  5. Martin Brian C. (Los Almos NM) Anderson Alma (Rio Rancho NM) Hanson Harold G. (Albuquerque NM), Overvoltage control circuitry.
  6. Reynolds James (Dallas TX) Smayling Michael C. (Missouri City TX), Planar process using common alignment marks for well implants.
  7. Cricchi James R. (Catonsville MD), Prevention of latch-up in CMOS integrated circuits using Schottky diodes.
  8. Welch James D., Regenerative switching CMOS system.
  9. Welch James D. (10328 Pinehurst Ave. Omaha NE 68124), Schottky barrier MOSFET systems and fabrication thereof.
  10. Koeneke Conrad J. (Fanwood NJ) Lepselter Martin P. (Summit NJ) Lynch William T. (Summit NJ), Schottky-barrier MOS devices.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Zitouni, Moaniss; Parris, Patrice M., CMOS device structures.
  2. Kim,Moon Kyung; Lee,Jo Won; Park,Yoon Dong; Kim,Chung Woo, CMOS thin film transistor comprising common gate, logic device comprising the CMOS thin film transistor, and method of manufacturing the CMOS thin film transistor.
  3. Yeh, Ling-Yen; Wang, Chao Hsiung; Yeo, Yee-Chia, Devices having transition metal dichalcogenide layers with different thicknesses and methods of manufacture.
  4. Lee, Jam-Wem; Lin, Wan-Yen; Song, Ming-Hsiang; Kuo, Cheng-Hsiung; Chih, Yue-Der, Diode formed of PMOSFET and schottky diodes.
  5. Ryu, Junhyeong, Electrostatic discharge circuit.
  6. Kinoshita, Atsuhiro; Koga, Junji, Field effect transistor and manufacturing method thereof.
  7. Kinoshita,Atsuhiro; Koga,Junji, Field effect transistor and manufacturing method thereof.
  8. Anderson, Brent A.; Joseph, Alvin J.; Nowak, Edward J., Integrated circuit including FinFET RF switch angled relative to planar MOSFET and related design structure.
  9. Singh,Raminderpal; Tan,Yue; Plouchart,Jean Oliver; Wagner, Jr.,Lawrence F.; Talbi,Mohamed; Safran,John M.; Wu,Kun, Method of checking the layout versus the schematic of multi-fingered MOS transistor layouts using a sub-circuit based extraction.
  10. Yeh, Ping-Chun; Yeh, Der-Chyang; Liu, Ruey-Hsin; Liu, Mingo, Schottky device.
  11. Amari, Koichi, Semiconductor component and manufacturing method thereof.
  12. Matsudai,Tomoko; Nakamura,Kazutoshi; Nakagawa,Akio, Semiconductor device with horizontal MOSFET and Schottky barrier diode provided on single substrate.
  13. Burgener, Mark L.; Cable, James S., Switch circuit and method of switching radio frequency signals.
  14. Kim,Ji Young; Park,Jin Jun, Vertical double-channel silicon-on-insulator transistor and method of manufacturing the same.
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