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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0933049 (2001-08-20) |
우선권정보 | DE-0007143 (1999-02-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 1 |
An α-SiC bulk single crystal is formed from an SiC gas phase by deposition of SiC on an SiC seed crystal. To enable an SiC bulk single crystal of the 15R type to be grown reproducibly and without restricting the seed crystal, the deposition takes place under a uniaxial tensile strength which include
1. A method of growing an α-SiC bulk single crystal, which comprises: providing an SiC seed crystal; depositing SiC from gas phase on the seed crystal and growing a bulk single crystal under a uniaxial tensile stress enclosing a given angle with a [0001] axis of the bulk single crystal, and ther
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