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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0666316 (2000-09-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 15 |
A damascene structure with reduced capacitance dielectric stacking comprise a passivation, a first dielectric, an etch stop, a second dielectric and a cap layer over a first conductive layer formed on a semiconductor. The passivation, the etch stop, and the cap layers comprise low dielectric constan
1. A damascene structure comprising: a passivation layer formed on a first conductive layer overlying a semiconductor structure; a first dielectric layer formed on said passivation layer; an etch stop layer formed on said first dielectric layer; a via opening formed through said etch stop laye
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