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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0391086 (2003-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 45 인용 특허 : 124 |
A semiconductor structure including a first substrate, and an epitaxial layer bonded to the substrate. The epitaxial layer has a threading dislocation density of less than 107cm-2and an in-plane lattice constant that is different from that of the first substrate and a second substrate on which the e
1. A semiconductor structure comprising: a first substrate; and an epitaxial layer bonded to said substrate, said epitaxial layer having a threading dislocation density of less than 107/cm2and an in-plane lattice constant different from that of said first substrate; and an optoelectronic device
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