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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0412261 (1999-10-05) |
우선권정보 | FR-0012497 (1998-10-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9 |
A semiconductor device comprising integrated circuit elements realized by means of a stack of layers of semiconductor materials provided on a substrate of semiconductor material and comprising means for preventing the pollution of the circuit elements and of the substrate by hydrogen originating fro
1. A semiconductor device comprising integrated circuit elements realized in a stack of layers on a substrate and comprising means for preventing pollution of the circuit elements and of the substrate by hydrogen originating from an environment inside a housing enclosing a portion of the semiconduct
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