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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0862108 (2001-05-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 48 |
Methods for producing silicon carbide crystals, seed crystal holders and seed crystal for use in producing silicon carbide crystals and silicon carbide crystals are provided. Silicon carbide crystals are produced by forcing nucleation sites of a silicon carbide seed crystal to a predefined pattern a
1. A method of producing silicon carbide crystals, comprising: forcing nucleation sites of a silicon carbide seed crystal to a predefined pattern by: providing regions of higher thermal conductivity in a seed crystal holder, the regions of higher thermal conductivity corresponding to the predef
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