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Copper-plating liquid, plating method and plating apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C25D-005/02
  • H01L-021/288
  • H01L-021/445
출원번호 US-0893624 (2001-06-29)
우선권정보 JP-0199924 (2000-06-30)
발명자 / 주소
  • Nagai, Mizuki
  • Okuyama, Shuichi
  • Kimizuka, Ryoichi
  • Kobayashi, Takeshi
출원인 / 주소
  • Ebara Corporation
대리인 / 주소
    Wenderoth, Lind & Ponack, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 23  인용 특허 : 8

초록 ▼

There is provided a copper-plating liquid free from an alkali metal and a cyanide which, when used in plating of a substrate having an outer seed layer and fine recesses of a high aspect ratio, can reinforce the thin portion of the seed layer and can embed copper completely into the depth of the fin

대표청구항 ▼

There is provided a copper-plating liquid free from an alkali metal and a cyanide which, when used in plating of a substrate having an outer seed layer and fine recesses of a high aspect ratio, can reinforce the thin portion of the seed layer and can embed copper completely into the depth of the fin

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Chen LinLin, Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece.
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  2. Talieh Homayoun ; Basol Bulent, Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate.
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  3. Krishnamoorthy Ahila ; Duquette David J. ; Murarka Shyam P., Copper alloy electroplating bath for microelectronic applications.
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  4. Dordi Yezdi ; Malik Muhammad Atif ; Hao Henan ; Franklin Timothy H. ; Stevens Joe ; Olgado Donald, Electro-chemical deposition system.
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  5. Somekh Sasson ; Ghosh Debabrata ; Adams Bret W., Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool.
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  6. Syun-Ming Jang TW, Method for improvement of planarity of electroplated copper.
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  7. Brian Aegerter ; Curt T. Dundas ; Michael Jolley ; Tom L. Ritzdorf ; Steven L. Peace ; Gary L. Curtis ; Raymon F. Thompson, Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece.
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  8. Dubin Valery M. (Cupertino CA) Schacham-Diamand Yosi (Ithaca NY) Zhao Bin (Irvine CA) Vasudev Prahalad K. (Austin TX) Ting Chiu H. (Saratoga CA), Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization.
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이 특허를 인용한 특허 (23)

  1. Weidman, Timothy W.; Wijekoon, Kapila P.; Zhu, Zhize; Gelatos, Avgerinos V. (Jerry); Khandelwal, Amit; Shanmugasundram, Arulkumar; Yang, Michael X.; Mei, Fang; Moghadam, Farhad K., Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer.
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  2. Stewart, Michael P.; Weidman, Timothy W.; Shanmugasundram, Arulkumar; Eaglesham, David J., Electroless deposition process on a silicon contact.
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  3. Stewart, Michael P.; Weidman, Timothy W.; Shanmugasundram, Arulkumar; Eaglesham, David J., Electroless deposition process on a silicon contact.
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  4. Shirakashi, Mitsuhiko; Kumekawa, Masayuki; Yasuda, Hozumi; Kobata, Itsuki; Noji, Ikutaro; Yoshida, Kaori, Electrolytic processing apparatus and substrate processing apparatus and method.
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  5. Mayer, Steven T.; Koos, Daniel A.; Webb, Eric, Fabrication of semiconductor interconnect structure.
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  6. Chan, Elvis M.; Withers, Bradley S., Metal capping of damascene structures to improve reliability using hyper selective chemical-mechanical deposition.
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  7. Calcaterra, Anthony; Knox, David, Method and apparatus for applying a voltage to a substrate during plating.
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  8. Calcaterra,Anthony; Knox,David, Method and apparatus for applying a voltage to a substrate during plating.
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  9. Olsen, Gerald L.; Huang, Lee Ping; Betin, Leslie Ramsay, Method and apparatus for washing, etching, rinsing, and plating substrates.
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  10. Nittel,Klaus Dieter; Schneider,Ralf, Method for copper-plating or bronze-plating an object and liquid mixtures therefor.
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  11. Oladeji, Isaiah O., Method for fabricating copper-containing ternary and quaternary chalcogenide thin films.
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  12. Lopatin,Sergey; Shanmugasundram,Arulkumar; Lubomirsky,Dmitry; Pancham,Ian A., Method for forming CoWRe alloys by electroless deposition.
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  13. Bian, Zailong, Methods of forming copper-comprising conductive lines in the fabrication of integrated circuitry.
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  14. Mayer, Steven T.; Porter, David W., Modulated metal removal using localized wet etching.
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  15. Lubomirsky, Dmitry; Weidman, Timothy W.; Shanmugasundram, Arulkumar; Kovarsky, Nicolay Y.; Wijekoon, Kapila, Process for electroless copper deposition.
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  16. Mayer, Steven T.; Porter, David W., Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation.
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  17. Mayer, Steven T.; Porter, David W., Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation.
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  18. Weidman,Timothy W., Ruthenium containing layer deposition method.
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  19. Hongo,Akihisa; Wang,Xinming, Substrate processing apparatus and method.
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  20. Mayer, Steven T.; Rea, Mark L.; Hill, Richard S.; Kepten, Avishai; Stowell, R. Marshall; Webb, Eric G., Topography reduction and control by selective accelerator removal.
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  21. Mayer, Steven T.; Webb, Eric G.; Porter, David W., Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing.
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  22. Mayer, Steven T.; Webb, Eric; Porter, David W., Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing.
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  23. Mayer, Steven T.; Webb, Eric; Porter, David W., Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing.
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