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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0013086 (2001-12-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 16 |
Methods and apparatuses are disclosed that can introduce deliberate semiconductor film variation during semiconductor manufacturing to compensate for radial processing differences, to determine optimal device characteristics, or produce small production runs. The present invention radially varies th
1. A method for creating at least two devices on a semiconductor wafer, each of the devices having a plurality of device characteristics, the method comprising the steps of: depositing a semiconductor film to a first thickness at a first location on a semiconductor wafer; depositing the semicond
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