[특허]Distributed powertrain that increases electric power generator density

Clipper WindPower Technology, Inc.

검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
검색연산자

검색연산자	기능	검색시 예
()	우선순위가 가장 높은 연산자	예1) (나노 (기계 \| machine))
공백	두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색	예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실
\|	두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색	예1) (줄기세포 \| 면역) 예2) 줄기세포 \| 장영실
!	NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외	예1) (황금 !백금) 예2) !image
*	검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색	예) semi*
""	따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색	예) "Transform and Quantization"

과학기술 지식인프라 ScienceON

특허 상세정보

MyON담기

내보내기

Distributed powertrain that increases electric power generator density

국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H02K-023/60
미국특허분류(USC)	290/001.C; 310/075.R; 074/785
출원번호	US-0213764 (2002-08-07)
발명자 / 주소	Mikhall, Amir S. Hahlbeck, Edwin C.
출원인 / 주소	Clipper WindPower Technology, Inc.
대리인 / 주소	Lamb, Owen L.
인용정보	피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 6

초록
▼

대표
청구항
▼

A power source drives a main input shaft. A plurality of output shafts are located around a bull gear which is coupled to the main input shaft. A number of generators are each coupled to a respective one of the output shafts, such that each one of the output shafts drives a generator. A number of intermediate gears are located around a perimeter of the bull gear, alternating half of the intermediate gears on one side of the bull gear and half on an opposite side of the bull gear. Each one of the intermediate gears is pressure fitted to an intermediate pinion with teeth that engage the bull gear teeth. Each one of the output shafts has two pinions that engage two intermediate gears, one on one side of the bull gear and one on an opposite side of the bull gear. region.9. The depletion mode p-channel static device of claim 8, wherein the oxide layer is approximately 23 Angstroms (∠st;).10. The depletion mode p-channel static device of claim 8, wherein the electrons tunnel from the floating gate to the channel region or the source region to reach the second potential and the electrons tunnel from the channel region or the source region to the floating gate to reach the first potential.11. The depletion mode p-channel static device of claim 10, wherein the limited range of floating gate potentials includes a range of +/−1.0 Volts.12. The depletion mode p-channel static device of claim 10, wherein the limited range of floating gate potentials includes a charge on the order of approximately 10−17Coulombs for a floating gate which has a bottom surface area in contact with the oxide layer of approximately 10−10cm2.13. A depletion mode p-channel transistor, comprising: a source region; a drain region; a channel region between the source and drain regions; a control gate; a floating gate separated from the control gate by an integrate dielectric; an oxide layer having a thickness of less than 50 Angstroms (∠st;), wherein the oxide layer separates the floating gate from the channel region; and wherein the transistor has a limited range of floating gate potentials where electron neither tunnel to nor tunnel from the floating gate, the limited range of floating gate potentials including: a first potential reached when electrons tunnel to the floating gate when a positive voltage is applied to the control gate, the first potential corresponding to a wider channel region; anda second potential reached when electrons tunnel from the floating gate when a negative voltage is applied to the control gate, the second potential corresponding to a thinner channel region.14. The depletion mode p-channel transistor of claim 13, wherein the thickness of the oxide layer is approximately 23 Angstroms (∠st;).15. The depletion mode p-channel transistor of claim 13, wherein the limited range of floating gate potentials includes a charge on the order of approximately 10−17Coulombs for a floating gate which has a bottom surface area in contact with the oxide layer of approximately 10−10cm2.16. The depletion mode p-channel transistor of claim 13, wherein the p-channel memory cell is adapted to have a reliability of a number of cycles of performance of approximately 1015cycles over a lifetime of the p-channel memory cell.17. The depletion mode p-channel transistor of claim 13, wherein the transistor has an operating voltage of approximately 1.0 Volts applied to the control gate.18. A non volatile depletion mode p-channel memory cell, comprising: a control gate; a floating gate separated from the control gate by a dielectric layer; and an oxide layer having a thickness of approximately 23 Angstroms (∠st;), wherein the oxide layer separates the floating gate from a p-type doped channel region separating a source and a drain region in a substrate; and wherein the floating gate is adapted to hold a fixed charge over a limited range of floating gate potentials, the limited range of floating gate potentials including: a first potential reached when electrons tunnel from either the channel region or the source region to the floating gate, the first potential corresponding to a high conductivity state in the channel region; anda second potential reached when electrons tunnel from the floating gate to either the channel region or the source region, the second potential corresponding to a low conductivity state in the channel region.19. The non volatile depletion mode p-channel memory cell of claim 18, wherein the floating gate is adapted to hold a charge of the order of 10−17Coulombs for a floating gate which has a bottom surface area in contact with the oxide layer of approximately 10−10cm2.20. The non volatile depletion mode p-channel memory cel

이 특허에 인용된 특허 (6)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

IPC 상위 출원인

내보내기

상세정보
내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	> 총 건의 자료가 검색되었습니다. > 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) > 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. > 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) > 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오 > ~ > Text(ASCII format) Excel format

과학기술 지식인프라 ScienceON

ScienceON Chatbot

특허 상세정보

Distributed powertrain that increases electric power generator density

초록
▼

대표
청구항
▼

이 특허에 인용된 특허 (6)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

ScienceON Chatbot

특허 상세정보

Distributed powertrain that increases electric power generator density

초록 ▼

대표청구항 ▼

이 특허에 인용된 특허 (6)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

초록
▼

대표
청구항
▼