[특허]Multiple chamber fluid mount

Nikon Corporation

검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
검색연산자

검색도움말
검색연산자	기능	검색시 예
()	우선순위가 가장 높은 연산자	예1) (나노 (기계 \| machine))
공백	두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색	예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실
\|	두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색	예1) (줄기세포 \| 면역) 예2) 줄기세포 \| 장영실
!	NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외	예1) (황금 !백금) 예2) !image
*	검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색	예) semi*
""	따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색	예) "Transform and Quantization"

과학기술 지식인프라 ScienceON

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

특허 상세정보

MyON담기

내보내기 페이스북 공유 트위터 공유 카카오톡 공유

Multiple chamber fluid mount

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G03B-027/42 F16M-013/00 F01B-007/00
미국특허분류(USC)	355/053; 248/636; 248/562; 092/151
출원번호	US-0818163 (2001-03-27)
발명자 / 주소	Binnard, Mike Watson, Douglas C.
출원인 / 주소	Nikon Corporation
대리인 / 주소	Roeder, Steven G.
인용정보	피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 7

초록
▼

대표
청구항
▼

A fluid mount (10) for an exposure apparatus (32) includes a first subsystem (12) and a second subsystem (14). The first subsystem (12) includes a first cylinder (18) and a first piston (20). The first piston (20) moves within the first cylinder (18) along a first axis (26). The second subsystem (14) includes a second cylinder (22) and a second piston (24). The second piston (24) moves within the second cylinder (22) along a second axis (28). Importantly, (i) the second subsystem (14) is stacked on top of the first subsystem (12), (ii) the second axis (28) is substantially coaxial with the first axis (26), and (iii) the first piston (20) is connected to the second piston (24) with a piston connector (16). The resulting fluid mount (10) has a relatively high load carrying capacity and a relatively small footprint. yer by laser low temperature annealing; forming a first active area and a second active area by defining the polysilicon layer, wherein the first active area is a driving area and the second active area is a pixel area; forming a first insulation layer covering the polysilicon layer; forming a patterned conductive layer on the driving area and the pixel layer, wherein the patterned conductive layer serves as gates and upper electrodes of capacitors; using the patterned conductive layer as a mask, forming a source/drain, channel region and lower electrode in the polysilicon layer by an ion-doping process; forming a second insulation layer covering the insulation substrate; forming a plurality of first openings and exposing the gate and the source/drain; forming a second conductive layer to cover the second insulation layer and fill the first opening; patterning the second conductive layer to form a source/drain line contacting electrically with the source/drain; forming a dielectric layer covering the second insulation layer and the second conductive layer, wherein the dielectric layer has a planar surface; forming a second opening, wherein the drain line on the pixel area is exposed; and forming a pixel electrode connecting electrically with the drain line. 2. The method of claim 1, wherein the ion-doping process is a P-type ion implantation.3. The method of claim 2, wherein an ion concentration formed by the P-type ion implantation is about between about 10E19 and 10E21 ions/cm3.4. The method of claim 1, wherein the buffer layer sequentially comprises a nitride layer and an oxide layer.5. The method of claim 1, wherein the pixel electrode is made from ITO glass.6. The method of claim 1, wherein a bottom electrode is defined by the ion-doping process.7. A method for fabricating liquid crystal display, the method being adapted for fabrication on an insulation substrate, the method comprising: forming a polysilicon layer on the insulation substrate; forming a first active area and a second active area by defining the polysilicon layer; forming a first insulation layer covering the polysilicon layer; forming a patterned conductive layer on the first insulation layer, wherein the patterned conductive layer serves as gates and upper electrodes of capacitors; using the patterned conductive layer as a mask, forming a source/drain and channel region in the polysilicon layer by a P-type ion-doping process; forming a second insulation layer covering the insulation substrate; forming a plurality of first openings and exposing the gate and the source/drain; forming a source line and a drain line, wherein the source line contacts electrically with the source and the drain line contacts electrically with the drain; forming a dielectric layer covering the second insulation layer and the source/drain lines, wherein the dielectric layer has a planar surface; forming a second opening, wherein a drain line on the second active area is exposed; and forming a pixel electrode contacting electrically with the drain line on the second active area. 8. The method of claim 7, wherein the first active area is a driving area and the second active area is a pixel area.9. The method of claim 7, further comprising a buffer layer formed before the polysilicon layer formed.10. The method of claim 7, wherein a method for forming the polysilicon layer comprises: forming an amorphous poly layer on the buffer layer; and transforming the amorphous poly layer into the polysilicon layer by laser low temperature annealing. 11. The method of claim 7, wherein an ion concentration formed by the P-type ion implantation is about between about 10E19 and 10E21 ions/cm3.12. The method of claim 7, wherein a bottom electrode is defined by the ion-doping process.13. The method of claim 7, wherein the buffer layer sequentially comprises a nitride layer and an oxide layer.14. The method of claim 7, wherein the pixel electrode is made from ITO glass.

이 특허에 인용된 특허 (7)

이 특허를 인용한 특허 (14)

IPC 상위 출원인

내보내기

상세정보
내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	> 총 건의 자료가 검색되었습니다. > 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) > 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. > 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) > 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오 > ~ > Text(ASCII format) Excel format

과학기술 지식인프라 ScienceON

ScienceON Chatbot

연합인증

특허 상세정보

Multiple chamber fluid mount

초록
▼

대표
청구항
▼

이 특허에 인용된 특허 (7)

이 특허를 인용한 특허 (14)

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

ScienceON Chatbot

연합인증

특허 상세정보

Multiple chamber fluid mount

초록 ▼

대표청구항 ▼

이 특허에 인용된 특허 (7)

이 특허를 인용한 특허 (14)

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

초록
▼

대표
청구항
▼