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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0065884 (2002-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 13 |
A method of forming a fuse structure in which passivating material over the fuse has a controlled, substantially uniform thickness that is provided after C4 metallurgy formation. A laser fuse deletion process for the fuse formed by this method is also disclosed.
1. A method of performing a fuse deletion process, comprising: providing a substrate which comprises a C4 metallurgy contact pad and a fuse therein, wherein said substrate comprises a plurality of metal wiring layers and a plurality of dielectric layers; and said C4 metallurgy contact pad and said
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