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Method of polishing a semiconductor device

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/302
  • H01L-021/461
출원번호 US-0081212 (2002-02-25)
우선권정보 JP-0127043 (2001-04-25)
발명자 / 주소
  • Katagiri, Souichi
  • Yamaguchi, Ui
  • Kondo, Seiichi
  • Yasui, Kan
  • Kawamura, Yoshio
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd.
대리인 / 주소
    Reed Smith LLP
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 12

초록

A method of manufacturing is described wherein a semiconductor device has a substrate as workpiece with an insulation film formed on the substrate, openings formed inside the insulation film, a first conductive film is formed inside the openings and on a surface of the insulation film, a second cond

대표청구항

A method of manufacturing is described wherein a semiconductor device has a substrate as workpiece with an insulation film formed on the substrate, openings formed inside the insulation film, a first conductive film is formed inside the openings and on a surface of the insulation film, a second cond

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Aoki, Hidemitsu; Koito, Tatsuya; Nakabeppu, Kenichi, Anticorrosive agent.
  2. Hudson Guy F., Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad.
  3. Carr Jeffrey W. (Fishkill NY) David Lawrence D. (Wappingers Falls NY) Guthrie William L. (Hopewell Junction NY) Kaufman Frank B. (Amawalk NY) Patrick William J. (Newburgh NY) Rodbell Kenneth P. (Poug, Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor.
  4. Tomoko Wake JP; Yasuaki Tsuchiya JP, Method of forming a copper-containing metal interconnect using a chemical mechanical planarization (CMP) slurry.
  5. Sun, Lizhong; Tsai, Stan; Li, Shijian; White, John, Method of initiating cooper CMP process.
  6. Sasaki Yasutaka,JPX ; Hayasaka Nobuo,JPX ; Kaneko Hisashi,JPX ; Hirabayashi Hideaki,JPX ; Higuchi Masatoshi,JPX, Polishing agent and polishing method using the same.
  7. Bajaj Rajeev ; Farkas Janos ; Kim Sung C. ; Saravia Jaime, Processing for polishing dissimilar conductive layers in a semiconductor device.
  8. Anthony Mark Pasqualoni ; Deepak Mahulikar, Ready-to-use stable chemical-mechanical polishing slurries.
  9. Wilson Arthur M. ; larsen Jody D., Selective slurries for the formation of conductive structures.
  10. Shigeru Harada JP; Yoshifumi Takata JP; Junko Izumitani JP, Semiconductor device having a multilayer wiring structure and pad electrodes protected from corrosion and method for fabricating the same.
  11. Mravic ; deceased Brian ; Pasqualoni Anthony Mark ; Mahulikar Deepak, Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys.
  12. Nace Layadi SG; Arun K. Nanda, Two phase chemical/mechanical polishing process for tungsten layers.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Takeda, Takeshi, Solid-state imaging device and method for making the same.
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