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Chemical amplification resist compositions

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G03C-001/73
  • G03F-007/039
  • C08L-031/02
  • C08L-033/08
  • C08L-033/10
  • C08L-025/00
출원번호 US-0800512 (2001-03-08)
우선권정보 JP-0064277 (2000-03-09)
발명자 / 주소
  • Takeda, Takanobu
  • Watanabe, Osamu
  • Hirahara, Kazuhiro
  • Takemura, Katsuya
  • Kusaki, Wataru
  • Seki, Akihiro
출원인 / 주소
  • Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Millen, Whtie, Zelano & Branigan, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 12

초록

A chemical amplification positive resist composition comprising a polymeric mixture of a polyhydroxystyrene derivative having a Mw of 1000-500,000 and a copolymer of hydroxystyrene and (meth)acrylate having a Mw of 1000-500,000, as a base resin, has improved dry etching resistance, high sensitivity,

대표청구항

A chemical amplification positive resist composition comprising a polymeric mixture of a polyhydroxystyrene derivative having a Mw of 1000-500,000 and a copolymer of hydroxystyrene and (meth)acrylate having a Mw of 1000-500,000, as a base resin, has improved dry etching resistance, high sensitivity,

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Houlihan Francis Michael ; Nalamasu Omkaram ; Reichmanis Elsa ; Wallow Thomas Ingolf, Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material.
  2. Tani Yoshiyuki (Neyagawa JPX) Sasago Masaru (Hirakata JPX), Method for forming pattern.
  3. Choi Sang-jun,KRX ; Kang Yool,KRX ; Lee Si-hyeung,KRX ; Moon Joo-tae,KRX, Method for manufacturing a photoresist pattern defining a small opening and method for manufacturing semiconductor device using the same.
  4. Takechi Satoshi (Kawasaki JPX) Takahashi Makoto (Kawasaki JPX) Kaimoto Yuko (Kawasaki JPX), Pattern formation material and pattern formation method.
  5. Allen Robert David ; Sooriyakumaran Ratnam, Photoresist composition comprising a copolymer of a hydroxystyrene and a (meth)acrylate substituted with an alicyclic es.
  6. Crivello James V. (Clifton Park NY), Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials.
  7. Steinmann Alfred (Praroman CHX), Photoresist material based on polystyrenes.
  8. Takeda Takanobu,JPX ; Watanabe Osamu,JPX ; Watanabe Jun,JPX ; Hatakeyama Jun,JPX ; Ohsawa Youichi,JPX ; Ishihara Toshinobu,JPX, Positive resist composition.
  9. Ito Hiroshi (San Jose CA) Willson Carlton G. (San Jose CA) Frechet Jean M. J. (Ottawa CAX), Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile grou.
  10. Okazaki Hiroshi,JPX ; Pawlowski Georg,JPX ; Funato Satoru,JPX ; Kinoshita Yoshiaki,JPX ; Yamaguchi Yuko,JPX, Process for preparing resists.
  11. Ikemura Toshiaki,JPX ; Kobayashi Eiichi,JPX ; Tanabe Takayoshi,JPX ; Iwanaga Shin-ichiro,JPX, Radiation sensitive resin composition.
  12. Satoshi Kobayashi JP; Hidekazu Shioda JP; Haruhiko Itoh JP, Radiation-sensitive resin composition.

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Takemura, Katsuya; Hatakeyama, Jun; Nishi, Tsunehiro; Katayama, Kazuhiro; Ishihara, Toshinobu, Double patterning process.
  2. DeVilliers, Anton, Methods of forming a masking pattern for integrated circuits.
  3. DeVilliers, Anton, Methods of forming a masking pattern for integrated circuits.
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