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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0498303 (2000-02-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 55 |
The invention provides HF vapor process conditions that can be precisely controlled with a high degree of reproducibility for a wide range of starting wafer conditions. These HF vapor processes for, e.g., etching oxide on a semiconductor substrate, cleaning a contaminant on a semiconductor substrate
1. A method for etching oxide on a semiconductor substrate, comprising the steps of: producing a positive electrical charge on the oxide; and subsequent to the positive electrical charge production, exposing the previously positively charged oxide on the substrate to hydrofluoric acid vapor and
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