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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-035/24 H01L-051/00 |
미국특허분류(USC) | 257/040; 257/059; 257/072 |
출원번호 | US-0371118 (2003-02-21) |
우선권정보 | JP-0051248 (2002-02-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 42 인용 특허 : 4 |
There is described an organic thin-film transistor fabricated on a substrate. The organic thin-film transistor includes a first insulating layer formed on the substrate; an organic semiconductor layer formed on the first insulating layer; a second insulating layer formed on the organic semiconductor layer; a first through-hole bored through the second insulating layer; a second through-hole bored through the second insulating layer; a source electrode embedded in the first through-hole, a depth of which is equal to or greater than a thickness of the seco...
1. An organic thin-film transistor fabricated on a substrate, comprising: a first insulating layer formed on said substrate; an organic semiconductor layer formed on said first insulating layer; a second insulating layer formed on said organic semiconductor layer; a first through-hole bored through said second insulating layer; a second through-hole bored through said second insulating layer; a source electrode embedded in said first through-hole, a depth of which is equal to or greater than a thickness of said second insulating layer so...