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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0196430 (2002-07-17) |
우선권정보 | JP-0216172 (2001-07-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 8 |
A connection via hole is formed in an inter layer insulation film that covers a copper pad. Copper is formed within the connection via hole to form a connection copper via metal. An aluminum pad having a barrier metal thereunder for preventing reaction between copper and aluminum is formed on the co
1. A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; an insulation film formed on said semiconductor substrate; copper interconnects embedded in a trench formed in said insulation film; a copper pad formed as a part of said copper interconnects; an inter layer insulation fi
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