최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0307590 (2002-12-02) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 4 |
A structure and method of making an NPN heterojunction bipolar transistor ( 100 ) includes a semiconductor substrate ( 11 ) with a first region ( 82 ) containing a dopant ( 86 ) for forming a base region of the transistor. A second region ( 84 ) adjacent to the first region is used to form an emitte
1. A high speed NPN heterojunction bipolar transistor, comprising:a semiconductor substrate having a first region containing a p-type dopant for forming a base region of the transistor; anda second region containing an n-type dopant forming an emitter region of the transistor adjacent to and over th
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.