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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0107568 (2002-03-27) |
우선권정보 | JP-0090292 (2001-03-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 4 |
A semiconductor device in which a problem such as a thermal diffusion defect in a hollow wiring technique can be solved. In the semiconductor device, a gap is formed between wirings formed on a substrate, and the gap is filled with a gas having a thermal conductivity equal to or higher than three ti
1. A semiconductor device comprising:a substrate;wirings formed on the substrate;a gas permeable film formed on the wirings;a gap effected between the wirings by removal of a filling layer located at a location of the gap through the gas permeable film, the gap being filled with a gas having a therm
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