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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0664715 (2000-09-19) |
우선권정보 | JP-0038079 (1997-02-21); JP-0038080 (1997-02-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 23 |
An ultrasonic bath ( 30 ) is arranged below a wafer processing bath ( 10 ). Wafers ( 40 ) are processed while ultrasonic waves are transmitted from the ultrasonic bath ( 30 ) to the wafer processing bath ( 10 ). The wafers ( 40 ) are processed while being entirely dipped into the wafer processing ba
1. A semiconductor substrate fabrication method, comprising:the step of forming a non porous layer on a porous layer formed on a surface of a first substrate;the step of bonding a first substrate side of a prospective structure and a second substrate prepared separately to sandwich said non porous l
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