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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0249218 (2003-03-24) |
우선권정보 | TW-91136580 A (2002-12-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 1 |
A gate of a thin film transistor (TM is formed on a surface of a substrate. A gate insulating (GI) layer and an amorphous silicon layer are then sequentially formed on the gate. A dehydrogen treatment is performed thereafter, and a re-crystallizing process is performed to transform the amorphous sil
1. A method of forming a thin film transistor (TFT) of an organic light-emitting diode (OLED) display comprising:providing a substrate;depositing a first metal layer on the substrate;performing a first photo-etching-process (PEP) on the first metal layer to form a gate of the TFT on the substrate;se
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