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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0961792 (1997-10-31) |
우선권정보 | IT-0000056 (1995-08-07) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7 |
A method for removing oxygen from ammonia at low temperature is described. In one embodiment, oxygen contaminated ammonia is contacted with a getter material that includes iron and manganese that sorbs oxygen to yield ammonia that is substantially oxygen free. In one embodiment, the process of conta
1. A apparatus for producing, at an operating temperature between −20° C. and 50° C., pure, substantially oxygen-free ammonia suitable for use in semi-conductor processing said apparatus comprising:an ammonia source;a gas purification chamber having a gas inlet through which ammonia
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