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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0118228 (2002-04-09) |
우선권정보 | JP-0272001 (1997-09-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 18 |
Embedded interconnections of copper are formed by forming an insulating layer, forming embedded interconnections of copper in the insulating layer, making an exposed upper surface of the insulating layer and an exposed surface of the embedded interconnections of copper coplanar according to chemical
1. A method of forming a layer of embedded interconnections of copper, comprising:forming an insulating layer;forming embedded interconnections of copper in the insulating layer;planarizing an exposed surface of the insulating layer including an exposed surface of the embedded interconnections of co
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