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Overcurrent protection structure of load driving circuit 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H03B-001/00
출원번호 US-0413090 (2003-04-14)
우선권정보 JP-0117655 (2002-04-19)
발명자 / 주소
  • Tsuchida, Masahiro
출원인 / 주소
  • Denso Corporation
대리인 / 주소
    Harness, Dickey & Pierce, PLC
인용정보 피인용 횟수 : 17  인용 특허 : 9

초록

An electrical load driving circuit is provided which includes an insulated gate transistor and a control voltage limiting circuit. The transistor works to supply the power to an electrical load selectively. The control voltage limiting circuit includes a control circuit and a switching circuit. The

대표청구항

1. An electrical load driving circuit comprising:an insulated gate transistor installed in an electrical line extending between a power supply and an electrical load, said insulated gate transistor working to output a current as a function of a control voltage applied across a control terminal and a

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Majumdar Gourab (Fukuoka JPX) Hatae Shinji (Fukuoka JPX) Tabata Mitsuharu (Tokyo JPX) Marumo Takashi (Fukuoka JPX), Insulated gate semiconductor device.
  2. Sakamoto Kozo (Hachiouji JPX) Yoshida Isao (Hinode-machi JPX) Otaka Shigeo (Takasaki JPX) Iijima Tetsuo (Maebashi JPX) Shono Harutora (Gunma-machi JPX) Uchid Ken (Higashiyamato JPX) Kobayashi Masayos, Insulated gate semiconductor device and driving circuit device and electronic system both using the same.
  3. Ohshima Shunzou,JPX, Power supply system having semiconductor active fuse.
  4. Itoh Yukio,JPX ; Arai Takao,JPX, Power transistor with over-current protection controller.
  5. Kelly Brendan P.,GB2 ; Lowis Royce,GB2, Protected switch having a power semiconductor device.
  6. Fujiki Atsushi,JPX ; Iijima Tetsuo,JPX, Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same.
  7. Ohshima Shunzou,JPX, Semiconductor switching device with leakage current detecting junction.
  8. Saijo Ryuichi (Tokyo JPX), Switching circuit of low power consumption.
  9. Kazuyoshi Ogasawara JP, Switching device having the capability of detecting an abnormality.

이 특허를 인용한 특허 (17)

  1. Bolz,Stephan, Analytical circuit for an inductive sensor.
  2. Huang, Lei, Charge pump circuit for providing voltages to multiple switch circuits.
  3. Bolz,Stephan; Lugert,G체nter, Circuit arrangement for rapidly controlling in particular inductive loads.
  4. Ueda, Goro, Circuit for driving a semiconductor element.
  5. Falter, Johann; Laberer, Franz; Wolfarth, Gunther, Driver chip for driving an inductive load and module having a driver chip.
  6. Li, Hsinlun, Driving stage circuit with plural clamping levels.
  7. Kuroda, Takao, Driving transistor control circuit.
  8. Kuroda, Takao, Driving transistor control circuit.
  9. Matsuoka, Mikiyasu; Mukai, Yasuo; Nakata, Shingo; Yamada, Yuji, Gas sensor control device.
  10. Nakatake, Hiroshi; Fuku, Masaru; Okuda, Tatsuya; Tsunoda, Yoshikazu, Gate driving circuit.
  11. Niiyama, Kenichi, Load driving circuit and protection method.
  12. Nagasaka, Keiji; Sato, Hidetaka, Load driving device, vehicle air-conditioning apparatus, and load short-circuit protection circuit.
  13. Hussa, Robert O.; Fischer-Colbrie, Mark; Lapointe, Jerome P.; Shorter, Simon; Senyei, Andrew, Methods for detecting oncofetal fibronectin.
  14. Hussa, Robert; Fischer-Colbrie, Mark; LaPointe, Jerome P.; Shorter, Simon; Senyei, Andrew, Methods for detecting oncofetal fibronectin.
  15. Takata, Go; Yamamoto, Yasunori, Overcurrent protection circuit and overcurrent protection method.
  16. Lui, Sik K; Bhalla, Anup; Havanur, Sanjay, Thermally stable semiconductor power device.
  17. Lui,Sik K; Bhalla,Anup; Havanur,Sanjay, Thermally stable semiconductor power device.
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