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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0620979 (2003-07-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 100 |
Data retention of a ferroelectric transistor is extended by injecting holes or electrons into the ferroelectric transistor when power is removed. The ferroelectric FET has a mechanism to trap charge in a buffer dielectric layer or in the ferroelectric layer sandwiched between a top electrode and a s
1. A method for extending the data retention of a ferroelectric field effect transistor (FET) exhibiting hysteresis, having source, drain, gate and substrate terminals, the method comprising:determining the state of polarization of the ferroelectric FET before the FET is powered down;injecting charg
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