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Precision Zener diodes

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/861
출원번호 US-0118729 (2002-04-08)
발명자 / 주소
  • Hamerski, Roman J.
출원인 / 주소
  • FabTech, Inc.
대리인 / 주소
    Blackwell Sanders Peper Martin LLP
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 20

초록

The present invention is directed to a novel semiconductor device, which can be efficiently fabricated for use in Zener diode applications. Precision Zener diodes and the method for manufacturing the same are provided. The Zener diodes of the present invention are made from a semiconductor substrate

대표청구항

1. A semiconductor device having a first electrode and a second electrode, the device comprising:a semiconductor substrate layer of a substrate conductivity type and of a substrate resistivity;an epitaxial layer having a resistivity of at least approximately 5 ohm-cm, grown on the substrate layer, t

이 특허에 인용된 특허 (20)

  1. Kiyomura Akio (Sakado JPX) Terashima Takayoshi (Saitama JPX) Suzuki Tohru (Asaka JPX), Avalanche breakdown semiconductor device.
  2. Nuez Jean-Paul (Mennecy FRX) Lebesnerais Gerard (Perthes en Gatinais FRX), Breakdown voltage resistor obtained through a double ion-implantation into a semiconductor substrate, and manufacturing.
  3. Yilmaz Hamza (Sunnyvale CA) Bencuya Izak (San Jose CA), Closed cell transistor with built-in voltage clamp.
  4. Tsuji Kenji,JPX, Diode.
  5. Sakamoto Kozo (Hachiouji JPX) Yoshida Isao (Hinode-machi JPX) Otaka Shigeo (Takasaki JPX) Iijima Tetsuo (Maebashi JPX) Shono Harutora (Gunma-machi JPX) Uchid Ken (Higashiyamato JPX) Kobayashi Masayos, Insulated gate semiconductor device and driving circuit device and electronic system both using the same.
  6. Rinderle Heinz (Heilbronn DEX), Integrated circuit arrangement.
  7. Hemmah Steven M. (Salem NH) Payne Richard S. (Andover MA), Ion-implanted process for forming IC wafer with buried-Zener diode and IC structure made with such process.
  8. Jennings Dean C. (Sunnyvale CA), Lateral subsurface zener diode making process.
  9. Arai Takao (Tokyo JPX), Low-noise zener diode.
  10. Hemmah Steven M. (Salem NH), Method of fabricating a buried zener diode simultaneously with other semiconductor devices.
  11. Mehta Sunil D., Method of fabricating, programming, and erasing a dual pocket two sided program/erase non-volatile memory cell.
  12. Jackson Kevin B. (Phoenix AZ), Method of making a semiconductor diode.
  13. Rottner Kurt,SEX ; Schoner Adolf,SEX ; Bakowski Mietek,SEX, PN-diode of SiC and a method for production thereof.
  14. Korwin-Pawlowski Michael L. (Cork City IEX) Guillot Jean-Michel (Cloyne IEX) Brogle James J. (Cork City IEX), Planar P-N junction semiconductor structure with multilayer passivation.
  15. Kenji Kouno JP; Shouji Mizuno JP, Power MOS transistor.
  16. Ducreuz Grard (Aix en Provence FRX), Process for manufacturing a regulation and protection diode.
  17. Gough Paul A. (Smallfield GB2), Semiconductor component with protective element for limiting current through component.
  18. Schmitz Albert (Eindhoven NLX), Zener diode.
  19. Quint Johannes H. M. M. (Nijmegen NLX), Zener diode having a reference diode and a protective diode.
  20. Dunkley James L. (Santa Clara CA) Solomon James E. (Saratoga CA), Zener diode incorporating an ion implanted layer establishing the breakdown point below the surface.

이 특허를 인용한 특허 (5)

  1. Cahen,David; Lubomirsky,Igor, Molecular controlled semiconductor device.
  2. Song, Ki Chang; Kim, Geun Ho, Zener diode and methods for fabricating and packaging same.
  3. Chen, Shih-Kuan; Chiang, Wan-Lan; Chiang, Ming-Tai; Peng, Chih-Ping; Lin, Yih-Yin, Zener diode haviing a polysilicon layer for improved reverse surge capability and decreased leakage current.
  4. Chen, Shih-Kuan; Chiang, Wan-Lan; Chiang, Ming-Tai; Peng, Chih-Ping; Lin, Yih-Yin, Zener diode having a polysilicon layer for improved reverse surge capability and decreased leakage current.
  5. Chen, Shih-Kuan; Chiang, Wan-Lan; Chiang, Ming-Tai; Peng, Chih-Ping; Lin, Yih-Yin, Zener diode having a polysilicon layer for improved reverse surge capability and decreased leakage current.
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