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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0256395 (2002-09-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 8 |
A method for forming a microstructure from a substrate is provided. The method includes providing a monocrystalline substrate having a (100) orientation and subjecting a first portion of the substrate to ion bombardment to effect ion implantation to a desired penetration depth. A second portion of t
1. A method for forming a microstructure from a substrate, the method comprising:providing a monocrystalline substrate having a (100) orientation;subjecting a first portion of said substrate to ion bombardment to effect ion implantation to a desired penetration depth;etching a second portion of said
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