[특허]Method of assembling a silicon carbide high temperature anemometer

The United States of America as represented by the Administrator of the National Aeronautics and Space Administration

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Method of assembling a silicon carbide high temperature anemometer

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/00
미국특허분류(USC)	438/052
출원번호	US-0637083 (2003-08-05)
발명자 / 주소	Okojie, Robert S. Fralick, Gustave C. Saad, George J.
출원인 / 주소	The United States of America as represented by the Administrator of the National Aeronautics and Space Administration
대리인 / 주소	Stone Kent N.
인용정보	피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 12

초록
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A high temperature anemometer includes a pair of substrates. One of the substrates has a plurality of electrodes on a facing surface, while the other of the substrates has a sensor cavity on a facing surface. A sensor is received in the sensor cavity, wherein the sensor has a plurality of bondpads, and wherein the bond pads contact the plurality of electrodes when the facing surfaces are mated with one another. The anemometer further includes a plurality of plug-in pins, wherein the substrate with the cavity has a plurality of trenches with each one receiving a plurality of plug-in pins. The plurality of plug-in pins contact the plurality of electrodes when the substrates are mated with one another. The sensor cavity is at an end of one of the substrates such that the sensor partially extends from the substrate. The sensor and the substrates are preferably made of silicon carbide.

대표
청구항
▼

1. A method for assembling an anemometer, comprising:providing a cantilever beam having a plurality of bond pads on one side thereof:providing a first substrate and a second substrate, each said substrate being of the same material as said cantilever beam;etching said first substrate with a plurality of trenches and a sensor cavity;passivating both of said substrates;disposing a plurality of electrodes on said second substrate;positioning said cantilever beam in said sensor cavity;positioning a plug-in pin in each of said trenches; andmating said first substrate with said second substrate so that said plug-in pins and said bond pads are in intimate contact with said plurality of electrodes. 2. The method according to claim 1, further comprising:providing a housing having a lengthwise package cavity therethrough and at least one bore that extends into said package cavity;positioning said mated substrates into said package cavity; andinserting a fastener into said bore to secure said mated substrates in said housing. 3. The method according to claim 2, further comprising:placing a shim along with said mated substrates in said package cavity, such that said shim is between said mated substrates and said fastener. 4. The method according to claim 3, wherein said cantilever beam extends outwardly from one end of said housing. 5. The method according to claim 4, further comprising:installing said housing into an engine wall such that only said cantilever beam extends beyond said engine wall. 6. The method according to claim 5, further comprising:connecting diagnostic equipment to said plurality of plug-in pins.

이 특허에 인용된 특허 (12)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 1

Nakamura, Masateru. Method of production of silicon carbide single crystal. USP2009097588636.

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상세정보
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구성항목	관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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