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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0950250 (2001-09-10) |
우선권정보 | JP-0275695 (2000-09-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 9 |
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1. A method for producing electrode contacts for a semiconductor chip having a plurality of previously formed individual semiconductor integrated circuit elements secured to a substrate comprising the steps of: forming an insulating film on an interconnection pattern of a first integrated circuit el
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