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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0777516 (2001-02-06) |
우선권정보 | FR-1996-606086 (1996-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 146 인용 특허 : 30 |
The invention relates to a method of producing a thin layer of semiconductor material including: a step of implanting ions through a flat face ( 2 ) of a semiconductor wafer in order to create a layer of microcavities, the ion dose being within a specific range in order to avoid the formation
1. A method for producing a thin film comprising:providing a first substrate having a face surface;introducing hydrogen ions into the first substrate at the face surface, such that microcavities are formed in the first substrate during or after introducing the ions, wherein the microcavities define
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