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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0699704 (2000-10-30) |
우선권정보 | DE-0052055 (1999-10-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 13 |
A mass flow sensor is described. To improve the membrane stability of the known mass flow sensor, in particular the reoxide layer which is present in the known mass flow sensor is replaced by a thicker PECVD silicon oxide layer. The thickness of the silicon oxide layer deposited on the platinum laye
1. A mass flow sensor, comprising:a frame formed at least in part by silicon;a membrane held by the frame;a metal layer including a first structure and a second structure and being arranged above the frame;a heating element formed by the first structure in the metal layer;at least one temperature me
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