최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0278471 (2002-10-23) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 3 |
A method for forming a suspended microstructure is provided. The method includes providing a monocrystalline target substrate and subjecting the surface of the monocrystalline target substrate to ion implantation to form a microstructure layer at the surface of the monocrystalline target substrate.
1. A method for forming a suspended microstructure, the method comprising:providing a monocrystalline target substrate;subjecting a surface of said monocrystalline target substrate to ion implantation to form a microstructure layer at said surface of said monocrystalline target substrate;forming an
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.