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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0376894 (2003-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 9 |
One or more coating precursors are selected from metal or silicon compounds at a temperature above their melting points but substantially below their standard vaporization temperature, thereby causing the coating precursors to be in the form of a liquid. A vaporization chamber has a structure for co
1. A method for preparing vaporized reactants, comprising:providing one or more coating precursors wherein said precursors are metal or silicon compounds at a temperature above their melting points but substantially below their standard vaporization temperatures, thereby causing the coating precurso
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