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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0106100 (2002-03-27) |
우선권정보 | JP-0297956 (2001-09-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 5 |
A semiconductor device and a fabricating method thereof, capable of suppressing diffusion of hydrogen into a device and also capable of maintaining high performance are provided, while a passivation film is formed in a device whose performance is easily deteriorated by hydrogen diffusions. The semic
1. A method for fabricating a semiconductor device, the method comprising:providing a semiconductor substrate on whose surface an element is formed;forming a ferroelectric capacitor on the surface of said semiconductor substrate;covering said ferroelectric capacitor with a first interlayer film;form
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