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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0300231 (2002-11-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 14 |
Conductive material is deposited by ionized physical vapor deposition on an insulator, possibly to contact a conductive layer exposed by an opening in the insulator. At the beginning of the deposition, the wafer bias is low (possibly zero), to prevent the insulator re-sputtering by the ionized condu
1. A fabrication method comprising:performing a physical vapor deposition (PVD) of a conductive material or materials on an insulating material which forms at least a portion of a substrate;during at least part of the physical vapor deposition, applying a radio frequency (RF) power to a coil in a de
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