최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0825027 (2001-04-02) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 1 |
A characterization method for a device under test includes applying a bias voltage to a test circuit. The test circuit includes a first transistor coupled to the device under test, a second transistor coupled to the device under test and to the first transistor. A third transistor is coupled to a du
1. A test circuit comprising:a first transistor pair including a first transistor and a second transistor coupled with a device under test; and a second transistor pair including a third transistor and a fourth transistor coupled with a dummy device, the first transistor and the third transistor hav
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.