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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0432154 (2001-11-03) |
우선권정보 | DE-0057481 (2000-11-20) |
국제출원번호 | PCT/EP01/12756 (2003-09-15) |
§371/§102 date | 20030915 (20030915) |
국제공개번호 | WO02/40400 (2002-05-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 4 |
The invention relates to a method for producing hyper-pure, granular silicon by decomposing a gas containing silicon in a reactor consisting of a silicon carbide-based, carbon-fiber reinforced material; to a corresponding reactor; and to the use of said reactor for producing silicon.
1. A method for producing hyper-pure granular silicon by decomposition of a silicic gas carried out in a reactor consisting of a silicon carbide-based carbon-fibre reinforced material.2. A method according to claim 1, wherein the silicic gases employed are at least one of silanes, silicon iodides an
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