최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0165317 (2002-06-10) |
우선권정보 | JP-0140287 (2002-05-15); JP-0176931 (2001-06-12) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 4 |
There is provided a positive photoresist for near-field exposure excellent in light utilization efficiency even with small layer thickness of the photoresist layer for image formation, and allowing for reduced pattern edge roughness, and a photolithography method including a step of exposing by the
1. A method for processing a substrate to be processed, comprising the steps of:forming on the substrate to be processed a photoresist layer for image formation not larger than 100 nm in thickness using a photoresist suitable for near-field exposure comprising an alkali-soluble novolak resin and a p
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.