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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0970766 (2001-10-05) |
우선권정보 | JP-0315822 (2000-10-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 15 |
A method of manufacturing a semiconductor substrate (7) includes the processes of: forming an insulation film (2) on a surface of a semiconductor substrate main body (1); forming an ion shield member (3) having a predetermined shape on the insulation film; implanting an ion into the semiconductor su
1. A method of manufacturing a semiconductor substrate comprising the processes of:forming an insulation film on at least a surface of a semiconductor substrate main body; forming an ion shield member having a predetermined shape on said insulation film; subsequent to forming the insulation film, im
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