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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0450310 (2001-12-10) |
우선권정보 | GB-0030204 (2000-12-12) |
국제출원번호 | PCT/GB01/05454 (2003-06-11) |
§371/§102 date | 20030611 (20030611) |
국제공개번호 | WO02/49117 (2002-06-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 5 |
A multi-layer semiconductor diode having a layer of wide bandgap material located between the active layer and a first contact zone, where the active layer and additional wide bandgap layer are of one dopant type, and the first contact zone is of the opposite dopant type. A specific embodiment of th
1. A semiconductor diode comprising;a first contact zone; an active layer; a second contact zone; the first contact zone being doped with the opposite dopant type than that of the active layer; the second contact zone being doped with the same dopant type as the active layer; the first contact zone,
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