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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0233143 (2002-08-30) |
우선권정보 | KR-0071446 (2001-11-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 2 |
Disclosed is a method of manufacturing an image sensor having light sensitivity over a photodiode equal in area to that of a unit pixel. The image sensor includes an image sensor comprising: a first semiconductor substrate doped with a first conductive dopant; a first diffusion layer formed in the s
1. A method of manufacturing an image sensor, comprising the steps of:a) forming a first diffusion layer within a semiconductor substrate, semiconductor substrate being doped of a first conductive dopant and the first diffusion layer being doped of a second conductive dopant; b) forming a gate elect
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